H01L 半导体器件；其他类目未包括的电固体器件（半导体片的输运系统入B65G49／07；半导体器件在测量方面的应用入G01；扫描探针设备的零部件一般入G12B21/00；一般电阻器入H01C；磁体，电感器，变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9／00；电池组，蓄电池入H01M；波导管，谐振器，或波导型线路入H01P；线路连接器，汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬音器、送话器、唱机拾音器等声学机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路；混合电路；电设备的结构零部件或外壳；电气元件组件的制造入H05K；在具有特殊用途的电路中半导体器件的应用见应用方面的小类）〔2，7〕
附注
(1)本小类包括:
——任何其它小类未包括的电固体器件及其零部件，并且包括适用于整流，放大、振荡、或切换的半导体器件：对辐射敏感的半导体器件；应用热电、超导、压电、电致伸缩、磁致伸缩；电磁，或体负阻效应的电固体器件以及集成电路器件：〔2〕
——光敏电阻、磁场相关电阻、场效应电阻、有跃变势垒的电容器、有跃变势垒或表面势垒的电阻器、非相干光发射二极管以及薄膜或厚膜电路；〔2〕
——适用于制造或处理这些器件的加工方法及设备，列入其它类目的有关单步工序的加工方法除外。〔2〕
（2）本小类中所用如下术语或措词意指：
——“固体”系指材料体，在其材料体的内部或表面能产生表征该器件特性的物理效应。在热电器件中，“固体”包括所有处于电流通路上的材料。该器件体的内部或表面的各部分（不是固体本身），无论是否与外界有电联接，凡对固体起电作用的，都被认为是“电极”。一个电极可以包括若干部分，并且该术语“电极”也包括通过绝缘区（例如：电容性耦合）以及对该器件体的电感性耦合排列在固体上起作用的金属部分。将电容性排列内的介电区域视为电极的一部分。在包括有若干部分的排列中，仅将凭借其外形，尺寸，或配置或其构成材料在该固体上起作用的那些部分看作是电极部分。将其它部分视为“向该固体通入或自该固体流出的通导电流的排列”或者是“在共用基片内部或上面形成的固体组件之间的相互连”，即引线；〔2〕
——“器件”系指电路元件；当电路元件是在一个共同基片内部或上面形成的多个元件中的一个时，则“器件”系指组件；〔2〕
——“完整器件”系完全装配好的器件，这种器件在投入使用之前可能需要也可能不需要进一步的处理，例如：电铸，但是不需要进一步增加结构单元；〔2〕
——“部件”包括在一个完整器件内所包括的所有结构单元；〔2〕
——“容器”是一个外壳它构成完整器件的一个部件，并且基本上是在其内放置器件体的一个固态结构，或者是在其器件体的周围形成的但不构成在此器件体上的紧密贴层的一个固态结构。把在其器件体上形成的一层或多层组成的并且与该器件体构成的紧密接触的闭合体称之为“封装”；〔2〕
——“集成电路”是把所有的组件，例如，二极整、电阻，集成在一个共用基片上并且构成包括有各组件间相互连接的器件；〔2〕
——器件的“组装”系指从其组件的构成单元装配成器件并且包括在容器中加填料的措施。〔2〕
（3）在本小类中，仅当对用于制造或处理器件的方法或设备与器件本身都充分描述是有意义时，才对两者进行分类。〔6〕
小类索引
半导体器件
适用于整流、放大、振荡或切换的器件......29/00
对辐射敏感的器件，或发射器件......31/00；33/00
用有机材料制作的固体器件......51/00
其他固体器件
热电或热磁器件......35/00；37/00
超导器件......39/00
压电、电致伸缩或磁致伸缩器件......41/00
电磁器件......43/00
无跃变势垒或表面势垒的器件；体负阻效应器件；其他类目不包括的器件......45/00；47/00；49/00
半导体或其他固体器件的装配
单个器件的装配......25/00
集成电路，薄膜或厚膜电路......27/00
零部件......23/00
制造......21/00
----------
21/00 适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备(仅限用于制造或处理列入31/00至49/00各组的器件及其部件的方法或设备见上述各组，列入其它小类的单工序工艺方法各见有关小类，例如：C23C、C30B；花纹面或表面图形的照相制版，其材料或原版及专用设备，一般入G03F)〔2〕
附注
21/70至21/98各组优先于21/02至21/68各组〔2〕
21/02 ·半导体器件或其部件的制造或处理(用有机材料的入51/40)
21/027 ··未在21/18或21/34组中包括的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕
21/033 ···包括无机层的〔5〕
21/04 ··至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如:PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕
21/06 ···器件中的半导体所含有的硒或碲以游离态存在而不是在其它半导体材料中作为杂质存在〔2〕
21/08 ····基板的制备〔2〕
21/10 ····硒或碲的预处理及其在基板上的应用，或其组合的相继处理〔2〕
21/103·····硒或碲导电态的转换〔2〕
21/105·····硒或碲转换为导电层后的表面处理〔2〕
21/108·····分立绝缘层的制备，即：非生长阻挡层〔2〕
21/12 ····把硒或碲加到基板后，在硒或碲的裸露面上加电极〔2〕
21/14 ····完整器件的处理，例如:用电铸加工形成势垒〔2〕
21/145 ·····老化〔2〕
21/16 ···具有由氧化亚铜或碘化亚铜组成的半导体的器件〔2〕
21/18 ···具有半导体含有未规定的元素或者含有元素周期表第四族元素或者含有不含有杂质例如掺杂材料的AⅢBⅤ族化合物组成的器件(由未规定的元素组成器件的方法或设备，但明显的与第四族元素或AⅢBⅤ族化合物组成的器件无关入21/06，21/16或21/34)〔2，6，7〕
附注
即使所用材料没有明确规定，该组仍覆盖显然适于利用合适技术制造或处理其主体含有元素周期表第四族元素或AIIIBV族化合物的器件的工艺或设备。〔7〕
21/20 ····半导体材料在基片上的沉积，例如:外延生长〔2〕
21/203·····应用物理沉积的，例如：真空沉积，溅射〔2〕
21/205·····应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即：化学沉积〔2〕
21/208·····应用液体沉积的〔2〕
21/22 ····杂质材料的扩散，例如:在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料
21/223·····应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法〔2〕
21/225·····应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如:掺杂氧化层〔2〕
21/228·····应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法，例如:合金扩散工艺方法〔2〕
21/24 ····杂质材料(例如:掺杂材料，电极材料)与半导体的合金〔2〕
21/26 ····用辐射轰击的(热处理入21/324)〔2〕
21/261·····产生核反应嬗变化学元素〔6〕
21/263·····用高能辐射的(21/261优先)〔2，6〕
21/265······离子注入的(用于局部处理的离子束管入H01J37/30)〔2〕
21/266·······应用掩模的〔5〕
21/268······应用电磁辐射的，例如:激光辐射〔2〕
21/28····用21/20至21/268各组不包括的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕
21/283·····用作电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕
21/285······气体或蒸汽的沉积，例如:冷凝〔2〕
21/288······液体的沉积，例如:电解沉积〔2〕
21/30 ····用21/20至21/26各组不包括的方法或设备处理半导体材料的(在半导体材料上制作电极的入21/28)〔2〕
21/301·····把半导体再细分成彼此不相连的小片，例如，制造多个小片(切割入21/304)〔6〕
21/302·····改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如:腐蚀、抛光、切割〔2〕
21/304······机械处理，例如:研磨、抛光、切割〔2〕
21/306······化学或电处理，例如：电解腐蚀（形成绝缘层的入21/31绝缘层的后处理入21/3105）
21/3063·······电解腐蚀〔6〕
21/3065·······等离子腐蚀；活性离子腐蚀〔6〕
21/308·······应用掩模的(21/3063，21/3065优先)〔2，6〕
21/31 ·····在半导体材料上形成绝缘层的，例如：用于掩模的或应用光刻技术的（形成电极层的入21/28；密封层入21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕
21/3105······后处理〔5〕
21/311·······绝缘层的刻蚀〔5〕
21/3115·······绝缘层的掺杂〔5〕
21/312······有机层，例如：光刻胶（21/3105、21/32优先）〔2，5〕
21/314······无机层(21/3105，21/32优先)〔2，5〕
21/316·······由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层〔2〕
21/318·······由氮化物组成的无机层〔2〕
21/32 ······应用掩模的〔2，5〕
21/3205······非绝缘层的沉积，例如:绝缘层上的导电层，电阻层(器件内部的通电装置入23/52)；这些层的后处理(电极的制造入21/28)〔5〕
21/321·······后处理〔5〕
21/3213········对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如，由预淀积的外延层产生一个形成图形的层〔6〕
21/3215········层的掺杂〔5〕
21/322·····改善其内部性能的，例如:产生内部缺陷〔2〕
21/324·····用于改善半导体材料性能的热处理，例如:退火、烧结(21/20至21/288，21/302至21/322优先)〔2〕
21/326·····电流或电场的应用，例如:用于电铸成型的（21/20至21/288，21/302至21/324优先）〔2〕
21/328····制造双极型器件例如:二极、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕
21/329·····包括一个或两个电极的器件，例如：二极管〔5〕
21/33 ·····包括三个或更多电极的器件〔5〕
21/331······晶体管〔5〕
21/332······晶闸管〔5〕
21/334····制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕
21/335·····场效应晶体管〔5〕
21/336······具有绝缘栅的〔5〕
21/337······具有PN结栅的〔5〕
21/338······具有肖特基栅的〔5〕
21/339·····电荷传送器件〔5，6〕
21/34 ···具有21/06，21/16及21/18各组不包括的或有或无杂质，例如:掺杂材料的半导体的器件〔2〕
21/36 ····半导体材料在基片上的沉积，例如:外延生长〔2〕
21/363·····应用物理沉积，例如:真空沉积、溅射〔2〕
21/365·····应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即:化学沉积〔2〕
21/368·····应用液体沉积的〔2〕
21/38 ····杂质材料的扩散，例如:在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料、电极材料〔2〕
21/383·····应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法〔2〕
21/385·····应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法、例如:掺杂氧化层〔2〕
21/388·····应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法，例如:合金扩散工艺方法〔2〕
21/40 ····杂质材料，例如:掺杂材料，电极材料与半导体的合金〔2〕
21/42 ····用辐射轰击的〔2〕
21/423·····用高能辐射的〔2〕
21/425······离子注入的(用于局部处理的离子束管入H01J37/30)〔2〕
21/426·······应用掩模的〔5〕
21/428······应用电磁辐射的，例如:激光辐射〔2〕
21/44 ····用21/36至21/428各组不包括的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕
21/441·····用作电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕
21/443······气体或蒸汽的沉积，例如:冷凝〔2〕
21/445······液体的沉积，例如:电解沉积〔2〕
21/447·····包括有运用压力的，例如:热压粘结(21/607优先)〔2〕
21/449·····包括有运用机械振动的，例如:超声振动〔2〕
21/46 ····用21/36至21/428各组不包括的方法或设备处理半导体材料的(在半导体材料上制作电极的入21/44)〔2〕
21/461·····改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如:腐蚀、抛光、切割〔2〕
21/463······机械处理，例如：研磨、超声处理〔2〕
21/465······化学或电处理，例如：电解腐蚀(形成绝缘层的入21/469)〔2〕
21/467·······应用掩模的〔2〕
21/469······在半导体材料上形成绝缘层的，例如:用于掩模的或应用光刻技术的(形成电极层的入21/44；密封层入21/56)以及这些层的后处理〔2，5〕
21/47 ·······有机层，例如：光刻胶(21/475，21/4757优先)〔2，5〕
21/471·······无机层，（21/475，21/4757优先）〔2，5〕
21/473········由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层〔2〕
21/475·······应用掩模的〔2，5〕
21/4757·······后处理〔5〕
21/4763······非绝缘层的沉积，例如:绝缘层上的导电层，电阻层；这些层的后处理(电极的制造入21/28)〔5〕
21/477·····用于改善半导体材料性能的热处理，例如:退火、烧结(21/36至21/449，21/461至21/475优先)〔2〕
21/479·····电流或电场的应用，例如：用于电铸成型的（21/36至21/449，21/461至21/477优先）〔2〕
21/48 ···应用21/06至21/326中的任一小组都不包括的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如:容器(容器，封装、填料、安装架本身入23/00)〔2〕
21/50 ···应用21/06至21/326中的任一小组都不包括的方法或设备组装半导体器件的〔2〕
21/52 ····半导体在容器中的安装〔2〕
21/54 ····在容器中填料，例如:气体填料〔2〕
21/56 ····封装，例如:密封层，涂层〔2〕
21/58 ····半导体器件在支架上的安装〔2〕
21/60 ····引线或其它导电构件的连接，用于向或从器件传导电流〔2〕
21/603·····包括运用压力的，例如：热压粘结(21/607优先)〔2〕
21/607·····包括运用机械振动的，例如：超声振动〔2〕
21/62 ··无跃变势垒或表面势垒的器件〔2〕
21/64 ·不限于列入31/00至49/00各组的单个器件所使用的非半导体器件的固体器件或其部件的制造或处理〔2〕
21/66 ·在制造或处理过程中的测试或测量(制造后的测试或测量入G01R31/26)〔2〕
21/68 ·在制造过程中组件的支撑或定位装置，例如夹具〔2〕
21/70 ·由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其部件的制造(由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，13/00)〔2〕
21/71 ··限定在组21／70中的器件的特殊部件的制造（21/28，21/44，21/48优先）〔6〕
21/74 ···杂质高度集中的埋层的制作，例如:集电极埋层，内部连接线〔2〕
21/76 ···组件间隔离层的制作〔2〕
21/761····PN结〔6〕
21/762····电介质区〔6〕
21/763····多晶硅半导体区〔6〕
21/764····空气隙〔6〕
21/765····用场效应的〔6〕
21/768···利用互连传输器件中分离元件的电流〔6〕
21/77 ··在公共衬底中或上面形成的由许多固体元件组成的器件或集成电路的制造或处理〔6〕
21/78 ···把衬底连续地分成多个独立的器件(改变表面物理特性或者半导体形状的切割入21/304)〔2，6〕
21/782····制造多个器件，每一个由单个电路元件组成(21/82优先)〔6〕
21/784·····衬底为半导体的〔6〕
21/786·····衬底是非半导体的，例如，绝缘体〔6〕
21/82 ····制造器件，例如，集成电路，每一个由许多元件组成〔2〕
21/822·····衬底是半导体的，采用硅工艺(21/8258优先)〔6〕
21/8222······双极工艺〔6〕
21/8224·······由垂直和横向晶体管组合构成〔6〕
21/8226·······由合并晶体管逻辑和集成注入逻辑构成〔6〕
21/8228·······互补器件，例如，互补晶体管〔6〕
21/8229·······存储器结构〔6〕
21/8232······场效应工艺〔6〕
21/8234·······MIS工艺〔6〕
21/8236········增强型和耗尽型晶体管的组合〔6〕
21/8238········互补场效应晶体管，例如，CMOS〔6〕
21/8239········存储器结构〔6〕
21/8242·········动态随机存取存储结构(DRAM)〔6〕
21/8244·········静态随机存取存储结构(SRAM)〔6〕
21/8246·········只读存储器结构(ROM)〔6〕
21/8247··········电可编程序的(EPROM)〔6〕
21/8248······双极和场效应工艺的结合〔6〕
21/8249·······双极和MOS工艺〔6〕
21/8252·····衬底是半导体的，采用Ⅲ-Ⅴ族工艺(21/8258优先）〔6〕
21/8254·····衬底是半导体的，采用Ⅱ-Ⅵ族工艺(21/8258优先)〔6〕
21/8256·····衬底是半导体的，采用21/822，21/8252或21/8254组中不包括的工艺(21/8258优先)〔6〕
21/8258·····衬底是半导体的，采用21/822，21/8252，21/8254或21/8256包含工艺的组合〔6〕
21/84 ·····衬底不是半导体的，例如，绝缘体〔2，6〕
21/86 ······绝缘体是兰宝石的，例如，在兰宝石上生长硅的结构，即SOS〔2，6〕
21/98 ··由在一共用基片内或其上形成的多个固体组元组成的器件的组装；集成电路器件的组装(21/50优先；组装本身入25/00)〔2，5〕
23/00 半导体或其它固体器件的零部件(25/00优先)〔2，5〕
附注
本组不包括:
—用于29/00组内的半导体零部件或器件电极的零部件仍包括在那个组；
—仅限于用于31/00至49/00各组的任一单个主组内的器件零部件仍包括在那些组。〔5〕
23/02 ·容器；封接(23/12，23/34，23/48，23/552优先)〔2，5〕
23/04 ··按外形区分的〔2〕
23/043···具有凹槽结构，并有用作半导体本体安装架及引线的导电基片的容器〔5〕
23/045····包含有绝缘的穿过基片的引线的〔5〕
23/047····引线平行于基片的〔5〕
23/049····引线垂直于基片的〔5〕
23/051····由覆盖薄板形成的，平行于基板的引线，例如:夹层型〔5〕
23/053···容器具有凹槽结构，并有绝缘基片用作导体本体安装架的〔5〕
23/055····引线经过基片的〔5〕
23/057····引线平行于基片的〔5〕
23/06 ··按容器的材料或其电性能区分的〔2〕
23/08 ···其材料是电绝缘体的，例如:玻璃〔2〕
23/10 ··按部件间，例如:在容器的帽盖和基片之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的〔2〕
23/12 ·安装架，例如:不可拆卸的绝缘衬底〔2〕
23/13 ··按形状特点进行区分的〔5〕
23/14 ··按其材料或它的电性能区分的〔2〕
23/15 ···陶瓷或玻璃衬底〔5〕
23/16 ·容器中的填充料或辅助构件，例如:定心环(23/42，23/552优先)〔2，5〕
23/18 ··按材料，它的物理或化学性能，或者在其完整器件内以它的配置为特点进行区分的填充料〔2〕
附注
23/26组优先于23/20至23/24各组。〔2〕
23/20 ···在该器件的常态工作温度下为气态〔2〕
23/22 ···在该器件的常态工作温度下为液态的〔2〕
23/24 ···在该器件的常态工作温度下为固态或凝胶状的〔2〕
23/26 ···包含对水分或其它有害物质有吸收作用或起反应的材料的〔2〕
23/28 ·封装，例如:密封层，涂覆物(23/552优先)〔2，5〕
23/29 ··按材料特点进行区分的〔5〕
23/31 ··按配置特点进行区分的〔5〕
23/32 ·用于支承处于工作中的完整器件的支座，即可拆卸的夹紧装置(23/40优先；连接器一般入H01R；用于印制电路入H05K)〔2，5〕
23/34 ·冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕
23/36 ··为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如:散热器〔2〕
23/367···为便于冷却的器件造形〔5〕
23/373···为便于冷却的器件材料选择〔5〕
23/38 ··应用Peltier效应的冷却装置〔2〕
23/40 ··用于可拆卸的冷却或加热装置〔2〕
23/42 ··为便于加热或冷却在容器里选择或配置的填料或辅助构件（按用于器件而选择的材料的特点进行区分的入23/373）〔2，5〕
23/427···通过物态改变而冷却的，例如:使用热管〔5〕
23/433···按辅助构件的形状进行区分的，例如:活塞〔5〕
23/44··完全浸入流体但不是空气中的完整器件(23/427优先)〔2，5〕
23/46 ··包含有用流动流体传导热的(23/42，23/44优先)〔2〕
23/467···通过流动气体的，例如:空气的〔5〕
23/473···通过流动液体的〔5〕
23/48 ·用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线，接线端装置(一般入H01R)〔2〕
23/482··由不可拆卸的施加到半导体本体的内引线组成的〔5〕
23/485···包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如:平面型接触〔5〕
23/488··电焊接结构组成的〔5〕
23/49 ···类如导线连接的〔5〕
23/492···基片或平板的〔5〕
23/495···引线框架的〔5〕
23/498···引线位于绝缘衬底上的〔5〕
23/50 ··用于集成电路器件的(23/482至23/498优先)〔2，5〕
23/52 ·用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕
23/522··包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕
23/525···具有通用的互连装置的〔5〕
23/528···互连结构的布置〔5〕
23/532···按材料特点进行区分的〔5〕
23/535··包括内部互连的，例如:穿交结构〔5〕
23/538··制作在绝缘衬底上或内多个半导体芯片间的互连结构(安装架本身入23/12)〔5〕
23/544·加到半导体器件上的标志，例如：注册商标，测试图案〔5〕
23/552·防辐射保护装置，例如：光〔5〕
23/556··防α射线的〔5〕
23/58 ·其他组不包括的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕
23/60 ··防静电荷或放电的保护装置，例如:法拉第防护屏(一般入H05F)〔5〕
23/62 ··防过电保护装置，例如：熔丝，分路器〔5〕
23/64 ··阻抗装置〔5〕
23/66 ···高频匹配器〔5〕
25/00 由多个单个半导体或其它固体器件组成的组装件(在一共用基片内或其上形成的由多个固体组件组成的器件入27/00；光电池组装件入31/042；应用太阳电池或太阳电池板的发生器入H02N6/00；列入其它小类的完整电路组装件的零部件，例如:电视接收机的零部件，见有关小类，例如:H04N；一般电组件的组装件的零部件入H05K)〔2，5〕
25/03 ·所有属于列入27/00至49/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如:整流二极管的装配件。〔5〕
25/04 ··不具有单独容器的器件〔2〕
25/065···属于列入27/00组类型的器件〔5〕
25/07 ···属于列入29/00组类型的器件〔5〕
25/075···属于列入33/00组类型的器件〔5〕
25/10 ··具有单独容器的器件〔2〕
25/11 ···属于列入29/00组类型的器件〔5〕
25/13 ···属于列入33/00组类型的器件〔5〕
25/16 ·属于列入27/00至49/00各组中两个或多个不同主组内的类型的器件，例如:构成混合电路的〔2〕
25/18 ·属于列入27/00至49/00各组中两个或多个同一主组的不同小组内的类型的器件〔5〕
27/00 由在一共用基片内或其上形成的多个半导体或其他固体组件组成的器件(适用于该器件或其部件的制造或处理的方法或设备入21/70，31/00至49/00；其零部件入23/00，29/00至49/00；由多个单个固体器件组成的组装件入25/00；一般电组件的组装件入H05K)〔2〕
附注
(1)在27/01至27/26各组中，若没有其相反的指示，则将其发明归入该最后的适宜位置。〔2〕
(2)本组增加引得码组101:00。该引得码是不连用引得码。〔5〕
27/01 ·只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件〔3〕
27/02 ·包括有适用于整流、振荡、放大、切换的半导体组件的器件或者包括至少有一个跃变势垒或表面势垒的无源集成电路单元的器件〔2〕
27/04 ··其衬底为半导体的〔2〕
27/06 ···在非重复结构中包括有多个单个组件的〔2〕
27/07 ····有源区共用的组件〔5〕
27/08 ···只包括有一种半导体组件的〔2〕
27/082····只包含双极型的组件〔5〕
27/085····只包含场效应的组件〔5〕
27/088·····有绝缘栅场效 应晶体管的组件〔5〕
27/092······互补MIS场效应晶体管〔5〕
27/095·····有肖特基势垒栅极场效应晶体管的组件〔5〕
27/098·····有PN结栅极场效应晶体管的组件〔5〕
27/10 ···在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕
27/102····包含双极型组件的〔5〕
27/105····包含场效应组件的〔5〕
27/108·····动态随机存取存储结构的〔5〕
27/11 ·····静态随机存取存储结构的〔5〕
27/112·····只读存储器结构的〔5〕
27/115······电可编程序的只读存储器〔5〕
27/118····母片集成电路〔5〕
27/12 ··其衬底为非半导体的，例如:为绝缘体的〔2〕
27/13 ···与薄膜或厚膜无源组件相组合的〔3〕
27/14 ·包括有对红外辐射，光，较短波长的电磁辐射或较短波长的微粒子辐射，或者微粒辐射敏感的，并且适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入31／14；光导向装置与光电元件的耦合件入G02B6／42）〔2〕
27/142··能量转换器件〔5〕
27/144··由辐射控制的器件〔5〕
27/146···图像结构〔5〕
27/148····电荷耦合图像器件〔5〕
27/15 ·包括有用于光发射的至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体组件的〔2〕
27/16 ·包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的（仅将PELTIER效应用于半导体或其他固体器件进行冷却的入23／38）〔2〕
27/18 ·包括有呈现超导电性的组件的〔2〕
27/20 ·包括有压电组件的，包括有电致伸缩组件的；包括有磁致伸缩组件的〔2，7〕
27/22 ·包括有利用电-磁效应的组件的，例如:霍尔效应；应用类似磁场效应的〔2〕
27/24 ·包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大，或切 换的固体组件的〔2〕
27/26 ·包括有体负阻效应组件的〔2〕
29/00 适用于整流、放大、振荡、或切换的半导体器件，或者至少有一个电位跃变势垒或表面势垒，例如:PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体或其电极的零部件(31/00至47/00，51/00优先；适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备入21/00；非半导体的或其电极的零部件入23/00；由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00；一般电阻器入H01C；一般电容器入H01G)〔2，6〕
附注
在本主组中，只有29/02至29/51中各组与29/66至29/96中各组彼此相关，将其发明归入29/02至29/51各组，并也归入29/66至29/96各组。〔2〕
29/02 ·按其半导体本体的特征区分的〔2〕
29/04 ··按其晶体结构区分的，例如:多晶的，立方体的，晶面特殊取向的(有缺陷的入29/30)〔2〕
29/06 ··按其形状区分的；按各半导体区域的形状，相对尺寸，或配置区分的〔2〕
29/08 ···具有连接到一个通有待整流，放大，或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含三个或更多个电极的半导体器件的组成部分的〔2〕
29/10 ···具有连接到一个不通有待整流，放大，或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含三个或更多个电极的半导体器件的组成部分的〔2〕
29/12 ··按其构成材料的特征区分的〔2〕
29/14 (并入29/12)〔6〕
29/15 ···带有周期性或准周期性电势变化的结构，如多量子阱、超晶格(应用于光控制的这种结构入G02F1/017，应用于半导体激光器的入H01S5/34〔6，7〕
附注
29/15优先于29/16～29/26〔6〕
29/16 ···除掺杂材料或其他杂质外，只包括以游离态存在的周期系中第四族元素的〔2〕
29/161····包括列入29/16组中的两种或更多种元素的〔2〕
29/165·····在不同半导体区域中的〔2〕
29/167····进一步按掺杂材料的特征区分的〔2〕
29/18 ···除掺杂材料或其他杂质外只包括硒或碲的〔2〕
29/20 ···除掺杂材料或其他杂质外，只包括A#-IIIB#-v化合物的〔2，6〕
29/201····包括两种或更多种化合物的〔2〕
29/205·····在不同半导体区域中的〔2〕
29/207····进一步按掺杂材料的特征区分的〔2〕
29/22 ···作掺杂材料或其他杂质外，只包括A#-IIB#-VI化合物的〔2〕
29/221····包括两种或更多种化合物的〔2〕
29/225·····在不同半导体区域 中的〔2〕
29/227····进一步按掺杂材料的特征区分的〔2〕
29/24 ···除掺杂材料或其它杂质外，只包括未列入29/16，29/18，29/20，29/22各组中的无机半导体材料的(含有有机材料入51/00)
29/26 ···除掺杂材料或其它杂质外，包括列入29/16，29/18，29/20，29/22，29/24各组中两组或更多个组内的元素的〔2〕
29/267····在不同半导体区域中的〔2〕
29/30 ··按物理缺陷的特征区分的；具有光泽表面或粗糙表面的〔2〕
29/32 ···缺陷在半导体体内的〔2〕
29/34 ···缺陷在半导体表面的〔2〕
29/36 ··按杂质的浓度或分布特征区分的〔2〕
29/38 ··以列入29/04，29/06，29/12，29/30，29/36各组中两组或更多个组所给出的特征的组合为特点进行区分的〔2〕
29/40 ·按其电极特征区分的〔2〕
29/41 ··以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕
29/417···通有待整流、放大或切换电流的〔6〕
29/423···不通有待整流，放大或切换电流的〔6〕
29/43 ··以形成材料为特征的〔6〕
29/45 ···欧姆电极〔6〕
29/47 ···肖特基势垒电极〔6〕
29/49 ···金属绝缘体半导体电极〔6〕
29/51 ····与其相关的绝缘材料〔6〕
29/66 ·按其工作特征区分的〔2〕
29/68 ··只能通过对一个不通有待整流、放大，或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(29/96优先)
29/70 ···双极器件〔2〕
29/72 ····晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕
29/73 ·····双极结型晶体管〔5〕
29/732······纵向晶体管〔6〕
29/735······横向晶体管〔6〕
29/737······异质结晶体管〔6〕
29/739·····受场效应控制的〔6〕
29/74 ····晶闸管型器件，如具有四区再生作用的〔2〕
29/744·····栅极关断型器件〔6〕
29/745······由场效应关断的〔6〕
29/747·····双向型器，如双向三端晶闸管〔2〕
29/749·····由场效应关断的〔6〕
29/76 ···单极器件〔2〕
29/762····电荷转移器件〔6〕
29/765·····电荷耦合器件〔6〕
29/768······由绝缘栅产生的场效层的〔6〕
29/772····场效应晶体管〔6〕
29/775·····一维载流子气沟道的，如量子线FET〔6〕
29/778·····二维载流子气沟道的，如HEMT〔6〕
29/78 ·····由绝缘栅产生场效应的〔2〕
29/786······薄膜晶体管〔6〕
29/788······带有浮栅的〔5〕
29/792······具有电荷捕获栅绝缘体；例如，MNOS存储晶体管〔5〕
29/80 ·····由PN结或其它整流结栅产生场效应的〔2〕
29/808······具有PN结栅的〔5〕
29/812······具有肖特基栅的〔5〕
29/82 ··由施加于器件的磁场变化可控的(29/96优先)〔2，6〕
29/84 ··由所施加的机械力，如压力的变化可控的(29/96优先)〔2，6〕
29/86 ··只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡、或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的(29/96优先)〔2〕
29/8605···具有PN结的电阻器〔6〕
29/861···二极管〔6〕
29/862····点接触二极管〔6〕
29/864····渡越时间二极管，如IMPATT，TRAPATT二极管〔6〕
29/866····齐纳二极管〔6〕
29/868····PIN二极管〔6〕
29/87 ····晶体闸流二极管，如肖克莱二极管，穿通二极管〔6〕
29/872····肖特基二极管〔6〕
29/88 ····隧道效层二极管〔2〕
29/885·····江崎二极管〔6〕
29/92 ···有电位跃变势垒或表面势垒的电容器〔2〕
29/93 ····电容量可变的二极管，例如:变容二极管〔2〕
29/94 ····金属—绝缘体—半导体，例如，MOS〔2〕
29/96 ··包含在多于一个小组29/68，29/82，29/84或29/86的类型的〔2〕
31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；制造或处理这些半导体器件或其部件所特有的方法或设备；这些半导体器件的零部件(51/00优先；由形成在一公用基片之内或之上的多个固体元件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入27/00；覆盖屋顶面的能量收集器件入E04D13/18；利用太阳能产生热的入F24J2/00；用半导体探测器测量X辐射、伽马辐射、微粒辐射或宇宙辐射的入G01T1/24；用电阻探测器的入G01T1/26；用半导体探测器测量中子辐射的入G01T3/08；光导与光电子元件的耦合入G02B6/42；从放射源获取能量的入G21H)〔2，6〕
31/02 ·零部件〔2〕
31/0203··容器；封装〔5〕
31/0216··涂层〔5〕
31/0224··电极〔5〕
31/0232··与该器件有关的光学元件或设备〔5〕
31/0236··特殊表面结构〔5〕
31/024··冷却、加热、通风或温度补偿设备〔5〕
31/0248·以其半导体本体为特征的〔5〕
31/0256··以材料为特征的〔5〕
31/0264···无机材料〔5〕
31/0272····硒或碲〔5〕
31/028····除掺杂或其它杂质外，只包含周期表Ⅳ族元素的〔5〕
31/0288·····以掺杂材料为特征的〔5〕
31/0296····除掺杂或其它杂质外，只包含AⅡBⅥ化合物的如CdS、ZnS、HgCdTe〔5〕
31/0304····除掺杂或其它杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的〔5〕
31/0312····除掺杂或其它杂质外，只包含AⅣBⅣ化合物的，如SiC〔5〕
31/032····除掺杂或其它杂质外，只包含未列入31/0272至31/0312各组的化合物〔5〕
31/0328····除掺杂或其它杂质外，包含已列入31/0272至31/032组中两组或更多个组的半导体材料〔5〕
31/0336·····在不同半导体区域的，如Cu2X/CdX异质结，X为周期表中的Ⅵ族元素〔5〕
31/0352··以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕
31/036··以其晶体结构或以结晶面的特殊取向为特征的〔5〕
31/0368···包含多晶半导体的(31/0392优先)〔5〕
31/0376···包含非晶半导体的(31/0392优先)〔5〕
31/0384···包含其它非单晶材料的，如埋入绝缘材料中的半导体颗粒(31/0392优先)〔5〕
31/0392···包含淀积在金属或绝缘体衬底上的薄膜〔5〕
31/04 ·用作转换器件的〔2〕
31/042··包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列〔5〕
31/045···可收缩的或可折叠的〔5〕
31/048···封装的或有外壳的〔5〕
31/05 ···以特殊互连装置为特征的〔5〕
31/052···具有冷却、反光或集光装置的〔5〕
31/055····在光吸收处，由集光体，如由发光材料，再发射不同波长的光〔5〕
31/058···包括使用热能装置的，例如混合系统，或辅助电能源（使用太阳热本身入F24J2/00）〔5〕
31/06 ··特点在于至少有一个电位跃变势 垒或表面势垒的〔2〕
31/062···只是金属——绝缘体——半导体型势垒的〔5〕
31/065···只是带宽渐变型势垒的〔5〕
31/068···只是PN单质结型势垒的〔5〕
31/07 ···只是肖特基型势垒的〔5〕
31/072···只是PN异质结型势垒的〔5〕
31/075···只是PIN型势垒的〔5〕
31/078···包含已列入31/062至31/075组中两组或更多组的势垒〔5〕
31/08 ·其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如:光敏电阻器〔2〕
31/09 ··对红外、可见或紫外辐射敏感的器件(31/101优先)〔5〕
31/10 ··特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如:光敏晶体管〔2〕
31/101···对红外，可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕
31/102····仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕
31/103·····为PN单质结型势垒的〔5〕
31/105·····为PIN型势垒的〔5〕
31/107·····以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管〔5〕
31/108·····为肖特基型势垒的〔5〕
31/109·····为PN异质结型势垒的〔5〕
31/11 ····以两个势垒或面垒为特征的，如双极光晶体管〔5〕
31/111····以至少三个势垒为特征的，如光敏晶体闸流管〔5〕
31/112····以场效应工作为特征的，如结型场效应光敏晶体管〔5〕
31/113·····为导体——绝缘体——半导体型的如金属——绝缘体——半导体场效应晶体管〔5〕
31/115···对很短波长，如X射线、γ射线或微粒子辐射敏感的器件〔5〕
31/117····体效应辐射探测器型的，如Ge-Li补偿PINr射线探测器〔5〕
31/118····面垒或浅PN结型的，如面垒α粒子探测器〔5〕
31/119····以场效应工作为特征的，如MIS型探测器〔5〕
31/12 ·与一个或多个电光源，如场致发光光源，在结构上相连的，如在一公共衬底之内或之上形成的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的(具有至少一个适于光发射的势垒或面垒的半导体器件入33/00；应用场致发光元件和光电池的放大器入H03F17/00；场致发光光源本身入H05B33/00)〔2，5〕
31/14 ··由对辐射敏感的半导体器件控制的单光源或多光源，例如:图象变换器，图象放大器，图象存储器件〔2〕
31/147···对辐射敏感的光源和器件，均为以至少一个势垒或面垒为特征的半导体器件〔5〕
31/153····在一个公共衬底之内或之上形成的〔5〕
31/16 ··由单光源或多光源控制的对辐射敏感的半导体器件〔2〕
31/167···对辐射敏感的光源或器件，均为以至少一个势垒或面垒为特征的半导体器件〔5〕
31/173····在一个公共衬底之内或之上形成的〔5〕
31/18 ·制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(非特有的方法或设备入21/00)〔2〕
31/20 ··包含非晶半导体材料的器件及器件的部件〔5〕
33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的适用于光发射，如红外发射的半导体器件；制造或处理这些半导体器件或其部件所特有的方法或设备；这些半导体器件的零部件(光导与光电子元件的耦合入G02B6/42；半导体激光器入H01S5/00；场致发光光源本身入H05B33/00)〔2，7〕
35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即:呈现或带有或不带有其他热电效应或其它热磁效应的Seebeck效应或Peltier效应的热电器件；制造或处理这些热电器件或其部件所特有的方法或设备；这些热电器件的零部件(由一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00；应用电或磁效应的致冷机器入F25B/21/00；应用热电或热磁元件的温度计入G01K7/00；从放射源中获取能量的入G21H)〔2〕
35/02·零部件〔2〕
35/04··结点的结构零部件；引线的连接〔2〕
35/06···可拆开的，例如:应用一个弹簧的〔2〕
35/08···不可拆开的，例如:胶结的，烧结的，焊接的〔2〕
35/10···引线的连接〔2〕
35/12·结点引出线材料的选择〔2〕
35/14··应用无机合成物的〔2〕
35/16···包含有碲或硒或硫的〔2〕
35/18···包含有砷或锑或铋的(35/16优先)〔2〕
35/20···只包含有金属的(35/16，35/18优先)〔2〕
35/22···包含硼、碳、氧、或氮的化合物的〔2〕
35/24··应用有机合成物的〔2〕
35/26··应用连续或不连续改变材料内部成分的〔2〕
35/28·只利用Peltier或Seebeck效应进行工作的〔2〕
35/30··按在结点处进行热交换的方法区分的〔2〕
35/32··按构成器件的电池或热电偶的结构或排列区分的〔2〕
35/34·制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(对此非特有的方法或设备入21/00)〔2〕
37/00没有不同材料结点的热电器件；热磁器件，例如应用Nernst-Ettinghausen效应的；制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00；应用热电或热磁元件的温度计入G01K7/00；用于磁强记录仪的材料的选择，例如:用于记录居里点的入G03G5/00)〔2〕
37/02·利用介电常数的热变化的，例如:在居里点以上或以下工作的〔2〕
37/04·利用导磁率的热变化的，例如:在居里点以上或以下工作的〔2〕
39/00应用超导电性的器件，制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00；按陶瓷形成的工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B35/00；超导体，超导电缆或传输线入H01B12/00；超导线圈或绕组入H01F；利用超导电性的放大器入H03F19/00)〔2，4〕
39/02·零部件〔2〕
39/04··容器；安装架〔2〕
39/06··按电流通路区分的〔2〕
39/08··按元件的外形区分的〔2〕
39/10··按切换的方法区分的〔2〕
39/12··按材料区分的〔2〕
39/14·永久超导体器件〔2〕
39/16·在超导电和正常导电状态之间可切换的器件〔2〕
39/18··冷子管〔2〕
39/20···功率冷子管〔2〕
39/22·包含有一个不同材料结点的器件，例如：约瑟夫逊效应器件〔2〕
39/24·制造或处理列入39/00组内的器件或其部件所特有的方法或设备(对此非特有的方法或设备入21/00从其它材料分离出超导材料的磁性分离，如用Meissner效应的入B03C1/00)〔2〕
41/00压电器件；电致伸缩器件；磁致伸缩器件；制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备；这些器件的零部件(由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00)〔2〕
附注
(1)本组不包括被相关位置覆盖的特殊目的的元件〔6〕
(2)注意下列各位置
B06B对产生或传递机械振动的
G01对用于测量的传感器，如敏感元件
G04C，F适合用在时间间隔的传感器
G10K适合产生或传播声音的
H02N在电机中元件装置
H03H9/00包括机电或电声元件的网络，如谐振电路
H04R扬声器、送话器、唱机拾音器或类似的传感器〔6〕
41/02·零部件〔2〕
41/04··压电器件的或电致伸缩器件的〔2〕
41/047···电极〔6〕
41/053···装配、支架、封装或外壳〔6〕
41/06··磁致伸缩器件的〔2〕
41/08·压电器件或电致伸缩器件〔2〕
附注
41/083和41/087优先于41/09至41/113〔6〕
41/083··具有堆积或多层结构的〔6〕
41/087··形成同轴电缆的〔6〕
41/09··具有电输入与机械输出的〔5〕
41/107··具有电输入与电输出的〔5〕
41/113··具有机械输入与电输出的〔5〕
41/12·磁致伸缩器件〔2〕
41/16·材料的选择〔2〕
41/18··用于压电器件或电致伸缩器件的〔2〕
41/187···陶瓷合成物〔5〕
41/193···高分子合成物〔5〕
41/20··用于磁致伸缩器件的〔2〕
41/22·制造或处理由这些器件或其部件所特有的方法或设备(对此非特有的方法或设备入21/00)〔2〕
41/24··陶瓷合成物器件〔5〕
41/26··高分子合成物器件〔5〕
43/00应用电一磁或者类似磁效应的器件；制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00；带有电位跃变势垒或表面势垒的，通过磁场的变化可以进行控制的器件入29/82)〔2〕
43/02·零部件〔2〕
43/04··霍尔效应器件的〔2〕
43/06·霍尔效应器件〔2〕
43/08·磁场控制的电阻器〔2〕
43/10·材料的选择〔2〕
43/12·制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(对此非特有的方法或设备入21/00)〔2〕
43/14··用于霍尔效应器件的〔2〕
45/00无电位跃变势垒或表面势垒的、适用于整流、放大、振荡、或切换的固体器件，例如：介电三极管；奥氏效应器件；制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00；应用超导电性的器件入39/00；压电器件入41/00；体负阻效应器件入47/00)〔2〕
45/02·固体行波器件〔2〕
47/00体负阻效应器件，例如:耿氏效应器件；制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00)〔2〕
47/02·耿氏效应器件〔2〕
49/00未列入27/00至47/00各组内的并且未列入任何其它小类的固体器件；制造或处理这些器件或其部件所特有的方法或设备(由在一共用基片内或其上形成的多个固体组件组成的器件入27/00)〔2〕
49/02·薄膜或厚膜器件〔2〕
51/00使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其它材料的组合作有源部分的适用于整流、放大、振荡或切换的固体器件，或带有至少一个跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器；专门适用于制作或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备(处理无机半导体本体，包括在其上形成或处理有机层的工艺方法或设备入21/00、21/312、21/47)〔6〕
51/10·器件的零部件〔6〕
51/20·器件〔6〕
51/30·材料的选择〔6〕
51/40·专门用于制造或处理器件或其部件的工艺方法和设备〔6〕
涉及集成电路组27/00相关的引得码分类表，该引得码是不连用引得码〔5〕
附注
注意指南第四章规定的与各种类型引得码的使用与表示有关的规则。〔6〕
101∶00 AⅢBⅤ族集成电路〔5〕