G11C 静态存贮器(基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存贮入G11B；半导体存贮器件入H01L，例如H01L27/108至27/115；一般脉冲技术入H03K，例如：电子开关入 H03K17/00)；〔5〕
附注
(1)本小类包括用于数字或模拟信息存贮的器件或装置；
①其中在信息存贮元件和传感器之间不发生任何相对运动；
②其器件或装置结合有用于向存贮器写入信息或从存贮器中读出信息的选择器件。
(2)本小类不包括不适于存贮用的元件而且不列有如以下附注(3)所定义的装置，将那些元件划分在适当的小类中；例如：H01里的小类，H03K。
(3)在本小类中列入了带有至少写入并读出一项信息的装置的存贮元件。
小类索引
信息的写或读......7/00
地址选择......8/00
按元件类型区分的数字存贮器
电、磁类型的及其零部件......11/00；5/00
机械类型的......23/00
流体类型的......25/00
其它类型的......13/00
按后备装置的特征区分的
数字存贮器......14/00
可擦除的可编程序
只读存贮器......16/00
按信息转移的特征区分的数字存贮器
移位；循环......19/00；21/00
按功能特 征区分的数字存贮器
相联的；模拟的；只用于读出的......15/00；27/00；17/00
存贮器的校验......29/00
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 5/00 包括在11/00组中的存贮器零部件
 5/02 ·存贮元件的排列，例如：矩阵形式的排列
 5/04 ··存贮元件的支架；存贮元件在支架上的安装或固定
 5/05 ···矩阵中磁芯的支撑〔2〕
 5/06 ·存贮元件电的互相连接的装配，例如：通过布线的互连
 5/08 ··用于磁性元件，例如：环形磁芯，的互连
 5/10 ··用于电容器的互连
 5/12 ·用于存贮元件互连的设备或方法，例如：磁芯的穿线
 5/14 ·电源装置(用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入11/4063，11/413，11/4193；一般入G05F，H02J，M)〔5，7〕
 7/00 数字存贮器信息的写入或读出装置(5/00优先； 用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入11/4063，11/413，11/4193)〔2，5，7〕
 7/02 ·有避免寄生信号的装置的
 7/04 ·有避免由于温度效应引起干扰的装置的
 7/06 ·读出放大器；相关的电路(放大器本身入H03F，K) 〔7〕
 7/08 ··其控制〔7〕
 7/10 ·输入/输出(I/O)数据接口装置，例如：I/O数据控制电路，I/O数据缓冲器(电平转换电路一般入H03K19/0175) 〔7〕
 7/12 ·位线控制电路，例如：用于位线的驱动器，增强器，上拉电路，下拉电路，预充电电路，均衡电路〔7〕
 7/14 ·哑单元管理；读取基准电压发生器〔7〕
 7/16 ·采用包括模拟/数字(A/D)转换器，数字存贮器和数字/模拟(D/A)转换器的装置以数字 存储的方式存储模拟信号〔7〕
 7/18 ·位线组织；位线布局〔7〕
 7/20 ·存贮器单元初始化电路，例如：当加电或断电时，存贮器清除，潜像存贮器〔7〕
 7/22 ·读写(R-W)定时或计时电路；读写(R-W)控制信号发生器或管理〔7〕
 7/24 ·存贮器单元安全或保护电路，例如：用于防止无意中的读或写的装置；状态单元；测试单元〔7〕
 8/00 数字存贮器中用于地址选择的装置(用于使用半导体器件的存贮器的辅助电路入11/4063，11/413，11/4193)〔2，5，7〕
 8/02 ·应用选择矩阵的〔2〕
 8/04 ·采用时序寻址器件的，例如，移位寄存器、计数器(采用用于改变数字数据流速度的先进先出(FIFO)寄存器的入G06F5/06；采用用于通过对其顺序进行操作来处理数字数据的后进先出(LIFO)寄存器的入G06F7/00) 〔7〕
 8/06 ·地址接口装置，例如：地址缓冲器(电平转换电路一般入H03K19/0175) 〔7〕
 8/08 ·字线控制电路，例如：用于字线的驱动器，增强器，上拉电路，下拉电路，预充电电路〔7〕
 8/10 ·译码器〔7〕
 8/12 ·组选择电路，例如：用于存贮器块选择，芯片选择，阵列选择〔7〕
 8/14 ·字线组织；字线布局〔7〕
 8/16 ·多级存取存贮器阵列，例如：通过至少两个独立的寻址线组寻址一个存储器单元〔7〕
 8/18 ·地址定时或计时电路；地址控制信号发生或管理，例如：用于行地址选通(RAS)或列地址选通(CAS)信号的〔7〕
 8/20 ·地址安全或保护电路，即，用于防止非法或意外访问的装置〔7〕
 11/00 以使用特殊的电或磁存贮元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存贮元件(14/00至21/00优先)〔5〕
附注
11/56组优先于11/02至11/54各组。〔2〕
 11/02 ·应用磁性元件的
 11/04 ··应用圆筒形存贮元件的，例如：磁杆、磁线(11/12，11/14优先)〔2〕
 11/06 ··应用单孔存贮元件的，例如：环形磁芯；应用多孔板的，其中板上的每个单孔形成一个存贮元件
 11/061···应用单孔或磁环存贮元件的，每“位”(即每bit，二进制信息单位)一个元件，并且用于破坏性读出的〔2〕
 11/063····按“位”编制的，诸如2L/2D，3D制，即：借助于用于读又用于写的至少两等分的电流选用一个元件的〔2〕
 11/065····按“字”编制的，诸如2D制或线性选择，即：借助于用于读的单个全电流选用一个“字”的所有元件的〔2〕
 11/067···应用单孔或磁环存贮元件的，每“位”一个元件，并且用于非破坏性读出的〔2〕
 11/08 ··应用多孔存贮元件的，例如：应用多孔磁芯存贮器；应用把几个单独的多孔存贮元件并合起来的板(11/10优先；应用每个单孔形成一个存贮元件的多孔板的入11/06)〔2〕
 11/10 ··应用多轴存贮元件的
 11/12 ··应用磁张线的；应用磁扭线的，即：一个磁化轴被扭弯的元件
 11/14 ··应用薄膜元件的
 11/15 ···应用多层磁性层的(11/155优先)〔2〕
 11/155···有圆筒状结构的
 11/16 ··应用磁自旋效应的存贮元件的
 11/18 ·应用“霍尔”效应器件的
 11/19 ·在谐振电路中应用非线性电抗器件的〔2〕
 11/20 ··应用参量管的〔2〕
 11/21 ·应用电元件的〔2〕
 11/22 ··应用铁电元件的〔2〕
 11/23 ··在公共层采用静电存贮的，例如：Forrester-Haeff管(11/22优先)
 11/24 ··应用电容器的(11/22优先；使用半导体器件与电容器相结合的入11/34，例如，11/40)〔2，5〕
 11/26 ··应用放电管的〔2〕
 11/28 ···应用充气管的〔2〕
 11/30 ···应用真空管的(11/23优先)〔2〕
 11/34 ··应用半导体器件的〔2〕
 11/35 ···在耗尽层中采用电荷存贮的，例如：电荷耦合器件〔7〕
 11/36 ···应用二极管的，例如：阈值元件〔2〕
 11/38 ····应用隧道二极管的〔2〕
 11/39 ···使用可控硅的〔5〕
 11/40 ···应用晶体管的〔2〕
 11/401····形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5，7〕
 11/402·····对每个存贮单元单个进行电荷再生的，即，内部刷新〔5〕
 11/403·····对多个存贮单元共同进行电荷再生的，即，外部刷新〔5〕
 11/404······有一个电荷传输门的，例如每个单元一个MOS晶体管〔5〕
 11/405······有三个电荷传输门的，例如每个单元多个MOS晶体管〔5〕
 11/406·····刷新或电荷再生周期的管理或控制〔5〕
 11/4063·····辅助电路，例如：用于寻址，译码，驱动，写，读出或定时的〔7〕
 11/4067······用于双极型存贮单元的〔7〕
 111/407······用于场效应型存贮单元的〔5，7〕
11/4072·······用于初始化、加电或断电、清除存贮器或预置的电路〔7〕
11/4074·······电源或电压发生电路，例如：偏置电压发生器，衬底片电压发生器，后备电源，电源控制电路〔7〕
11/4076·······定时电路(用于再生管理的入11/406) 〔7〕
11/4078·······安全或保护电路，例如：用于防止无意中的或非法的读或写；状态单元；测试单元〔7〕
 11/408 ·······寻址电路
 11/409 ·······读写(R-W)电路〔7〕
 11/4091········读出或读出/刷新放大器，或相关的读出电路，例如：用于耦合位线预充电，均衡或隔离的〔7〕
 11/4093········输入/输出(I/O)数据接口装置，例如：数据缓冲器(电平转换电路一般入H03K19/0175) 〔7〕
 11/4094········位线管理或控制电路〔7〕
 11/4096········输入/输出(I/O)数据管理或控制电路，例如：读或写电路，I/O驱动器，位线开关〔7〕
 11/4097········位线组织，例如：位线布局，折叠位线〔7〕
 11/4099········哑单元处理；基准电压发生器〔7〕
 11/41 ····用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特(Schmitt)触发器〔5〕
 11/411·····只使用双极晶体管的〔5〕
 11/412·····只使用场效应晶体管的〔5〕
 11/413·····辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5，7〕
 11/414······用于双极型存贮单元的〔5〕
 11/415·······寻址电路〔5〕
 11/416·······读写(R-W)电路〔5，7〕
 11/417·······用于场效应型存贮单元的〔5〕
 11/418·······寻址电路〔5〕
 11/419·······读写(R-W)电路〔5，7〕
 11/4193···专用于特定类型的半导体存贮器件的辅助电路，例如，用于寻址的、驱动的、读出的、定时的、供电的、信号传播的（11/4063，11/413优先）〔7〕
 11/4195····寻址电路〔7〕
 11/4197····读写(R-W)电路〔7〕
 11/42 ··使用光电器件的，即，电耦合或光耦合的光发射器件及光电器件〔5〕
 11/44 ··应用超导元件的，例如冷子管〔5〕
 11/46 ·应用热塑性元件的
 11/48 ·应用可替换的耦合元件的，例如：在互感或自感的不同状态之间作变动的铁磁磁芯
 11/50 ·应用电触点的动作来存贮信息的(机械存贮器入23/00；单通过手控操作部件的动作，给出选择其触点的一些连续操作的开关入H01H41/00)
 11/52 ··应用电磁继电器的
 11/54 ·应用模仿生物细胞的元件的，例如：模仿神经细胞的元件
 11/56 ·使用具有按级表示的多于两个稳态的存贮元件的，如，电压、电流、相位、频率的(由这种形式的多稳态元件组成的计数装置入H03K25/00，29/00)〔2〕
 13/00 按所使用的不包括在11/00，23/00或25/00各组内的存贮元件为特征而区分的数字存贮器
 13/02 ·使用其操作取决于化学变化的存贮元件的数字存贮器(应用电化学变化的入11/00)
 13/04 ·使用光学元件的数字存贮器
 13/06 ··应用磁光元件(一般磁光元件入G02F)〔2〕
 14/00 按照当电源掉电时用于后备的具有易失及非易失存贮特性的单元装置的特征区分的数字存贮器〔5〕
 15/00 该存贮器所存贮的信息是由向该存贮器写入一个或多个特征部分所组成的，并且其信息是通过搜索一个或多个这些特征部分进行读出的数字存贮器，即：相联存贮器或内容编址存贮器(其中对特定单元信息编址的入11/00)〔2〕
 15/02 ·应用磁性元件的 〔2〕
 15/04 ·应用半导体元件的 〔2〕
 15/06 ·应用低温元件的〔2〕
 16/00 可擦除可编程序只读存贮器(14/00优先)〔5〕
 16/02 ·电可编程序的〔5〕
 16/04 ··使用可变阀值晶体管的，例如：FAMOS〔5〕
 16/06 ··辅助电路，例如，用于写入存贮器的(一般入7/00)〔5〕
 16/08 ···地址电路；译码器；字线控制电路〔7〕
 16/10 ···编程或数据输入电路〔7〕
 16/12 ····编程电压开关电路〔7〕
 16/14 ····用于电擦除的电路，例如；擦除电压开关电路〔7〕
 16/16 ·····用于擦除块的，例如：阵列、字、组〔7〕
 16/18 ····用于光擦除的电路〔7〕
 16/20 ····初始化；数据预置；芯片识别〔7〕
 16/22 ···防止对存贮单元的未授权或意外访问的安全或保护电路〔7〕
 16/24 ···位线控制电路〔7〕
 16/26 ···读出或读电路；数据输出电路〔7〕
 16/28 ····应用差分读出或基准单元，例如：哑单元〔7〕
 16/30 ···供电电路〔7〕
 16/32 ···定时电路〔7〕
 16/34 ···编程状态的确定，例如：阈值电压，过编程或欠编程，保留〔7〕
 17/00 仅供信息读出的永久存贮器，即，只可一次编程序的只读存贮器；半永久存贮器，例如：手动可替换信息卡片的(可擦可编程序只读存贮器入16/00；编码；译码或代码转换一般入H03M)〔2，5〕
 17/02 ·应用磁性或电感性元件的，(17/14优先)〔2，5〕
 17/04 ·应用电容性元件的(17/06，17/14优先)〔2，5〕
 17/06 ·应用二极管元件的(17/14优先)〔2，5〕
 17/08 ·应用半导体器件的，例如：双极性元件(17/06，17/14优先)〔5〕
 17/10 ··在制造过程中用耦合元件的预定排列确定其存贮内容的，例如；掩模式可编程序的ROM〔5〕
 17/12 ···应用场效应器件的〔5〕
 17/14 ·通过有选择地建立，断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存贮内容的，例如：PROM〔5〕
 17/16 ··应用电可熔链路的〔5〕
 17/18 ··辅助电路，例如，用于写入存贮器的(一般入7/00)〔5〕
 19/00 所存贮的信息是步进移动的数字存贮器，例如：移位寄存器(计数链的入H03K23/00)
 19/02 ·应用磁性元件的(19/14优先)〔2〕
 19/04 ··应用单孔磁芯或磁环的〔2〕
 19/06 ··应用多孔或多磁环结构的，例如：多孔磁芯存贮器〔2〕
 19/08 ··应用平面结构薄膜的〔2〕
 19/10 ··应用圆棒薄膜的；用磁扭线的〔2〕
 19/12 ·在谐振电路中应用非线性电抗器件的〔2〕
 19/14 ·应用与有源元件相组合的磁性元件的，例如：与放电管，半导体元件相组合的(19/34优先)〔2，7〕
 19/18 ·应用电容器作为各级主要元件的〔2〕
 19/20 ·应用放电管的(19/14优先)
 19/28 ·应用半导体元件的(19/14，19/36优先)〔2，7〕
 19/30 ·应用光-电器件的，即：光发射器件以及或电耦合或光耦合的光电器件
 19/32 ·应用超导元件的
 19/34 ·应用带有由例如电压、电流、相位、频率分级表示的两个以上稳定状态的存贮元件的〔7〕
 19/36 ··应用半导体元件的〔7〕
 19/38 ·二维移位寄存器，例如水平和垂直的〔7〕
 21/00 所存贮的信息是循环流动的数字存贮器(步进移动的入19/00)
 21/02 ·应用机电延迟线的，例如：应用 汞槽
 23/00 按机械配件的运动影响存贮为特征而区分的数字存贮器，例如：使用滚珠的；为此所用的存贮元件(通过致动触点进行存贮的入11/48)
 25/00 按使用流动介质为特征而区分的数字存贮器；为此所用的存贮元件
 27/00 电模拟存贮器，例如：用于瞬时值存贮的
 27/02 ·联样-保持装置(27/04优先； 电信号的一般采样入H03K)〔4〕
 27/04 ·移位寄存器(电荷耦合器件本身入H01L29/76)〔4〕
 29/00 存贮器正确运行的校验