C30B 单晶生长(用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06)；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼(金属或合金的区熔精炼入C22B)；具有一定结构的均匀多晶材料的制备(金属铸造，其它物质按同样工艺或装置的铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D，C22F)；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(用于半导体器件或元件生产的入H01L)；其所用的装置〔5〕
附注
(1) 本小类中，下列词汇按指定的含义使用：
——“单晶”也包括孪晶及单晶占支配地位的产品；〔3〕
——“均匀多晶材料”是指具有晶体颗粒的材料，所有颗粒具有同样的化学组分；〔5〕
——“一定的结构”是指含有晶粒材料的结构，其中晶粒按****方式定向排列，或晶粒尺寸大于常规方法获得的晶粒尺寸。〔5〕
(2) 本小类中
——发明涉及制备特定材料或特定形状之单晶或具有一定结构的均匀多晶材料，分入该工艺方法组及29/00组；〔3〕
——特定工艺方法专用的装置，分入该工艺方法的相应组。用一种以上工艺方法的装置，分入35/00组。〔3〕
小类索引
单晶生长
自固体或凝胶......1/00，3/00，5/00
自液体......7/00至21/00，27/00
自气化物......23/00，25/00
具有一定结构的均匀多晶材料的制备......28/00，30/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料......29/00
后处理......31/00，33/00
装置......35/00
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自固体或凝胶的单晶生长〔3〕
1/00 直接自固体的单晶生长(共析材料的定向分层入3/00；在保护流体下的入27/00)〔3〕
1/02 ·热处理法，例如应变退火(1/12优先)〔3〕
1/04 ··等温重结晶〔3〕
1/06 ··温度梯度下的重结晶〔3〕
1/08 ···区熔重结晶〔3〕
1/10 ·固相反应法或多相扩散法〔3〕
1/12 ·生长期间的压力处理法〔3〕
3/00 共析材料的定向分层〔3〕
5/00 自凝胶的单晶生长(在保护流体下的入27/00)〔3〕
5/02 ·添加掺杂材料的〔3〕
自液体的单晶生长；共晶材料的定向凝固〔3〕
7/00 自常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长(自溶融溶剂的入9/00)；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入11/00；在保护流体下的入27/00)〔3〕
7/02 ·溶剂蒸发法〔3〕
7/04 ··用水溶剂的〔3〕
7/06 ··用非水溶剂的〔3〕
7/08 ·溶液冷却法〔3〕
7/10 ·加压法，例如水热法〔3〕
7/12 ·电解法〔3〕
7/14 ·由溶液中的化学反应生成的结晶化材料〔3〕
9/00 自使用熔融态熔剂之熔体的单晶生长(用正常凝固法或温度梯度凝固法的入11/00；用区域熔融法的入13/00；晶体提拉法入15/00；在浸入的晶种上的入17/00；液相外延生长法入19/00；在保护流体下的入27/00)〔3〕
9/02 ·熔融态溶剂的蒸发法〔3〕
9/04 ·熔融溶液冷却法〔3〕
9/06 ··使用晶体组成之一种组分作溶剂的〔3〕
9/08 ··使用其它溶剂的〔3〕
9/10 ···金属溶剂〔3〕
9/12 ···盐溶剂，例如助熔剂生长
9/14 ·电解法
11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如Bridgman-Stockbarger法(13/00，15/00，17/00，19/00优先；保护流体下的入27/00)〔3〕
11/02 ·不使用溶剂的(11/06)〔3〕
11/04 ·熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中生成结晶化材料之反应物的〔3〕
11/06 ··至少有一种但非全部晶体成分之组分是添加的〔3〕
11/08 ··晶体成分的所有组分均是在结晶化过程中添加的〔3〕
11/10 ···固态组分或液态组分，例如焰熔法〔3〕
11/12 ···气化态组分，例如气化相-液相-固相生长〔3〕
11/14 ·以籽晶，例如其结晶取向为特征的〔3〕
13/00 区域熔融法单晶生长 ；区域熔融法精炼(17/00优先；改变所处理固体之横截面的入15/00；在保护流体下的入27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类)〔3，5〕
13/02 ·用溶剂的区域熔化，例如移动溶剂法〔3〕
13/04 ·区熔匀化法的均质化〔3〕
13/06 ·不遍及整个横截面的熔融区〔3〕
13/08 ·熔融区中添加结晶化材料或添加在反应过程中形成结晶化材料之反应物的〔3〕
13/10 ··同时添加掺杂材料的〔3〕
13/12 ···以气态或气化态的〔3〕
13/14 ·坩埚或舟皿〔3〕
13/16 ·熔融区的加热〔3〕
13/18 ··接触或浸入熔融区域的加热元件〔3〕
13/20 ··感应法，例如热线式法(13/18优先；感应圈入H05B 6/36)〔3〕
13/22 ··辐射法或放电法〔3〕
13/24 ···使用电磁波的〔3〕
13/26 ·熔融区的搅拌〔3〕
13/28 ·控制或调节(一般控制或调节入G05)〔3〕
13/30 ··熔融区的稳定化或形状控制，例如用浓缩器的，用电磁场的；控制晶体截面的〔3〕
13/32 ·移动装料或加热器用的机构〔3〕
13/34 ·以籽晶，例如以其结晶取向为特征的〔3〕
15/00 自熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法(在保护流体下的入27/00)〔3〕
15/02 ·熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中形成结晶化材料之反应物的〔3〕
15/04 ··添加掺杂材料，例如用于n-p结的〔3〕
15/06 ·非垂直提拉〔3〕
15/08 ·下拉〔3〕
15/10 ·承载熔融液的坩埚或容器〔3〕
15/12 ··双坩埚法〔3〕
15/14 ·熔融液或已结晶化材料的加热〔3〕
15/16 ··辐照法和放电法〔3〕
15/18 ··除其它加热方法以外用直接电阻加热法，例如使用Peltier加热的〔3〕
15/20 ·控制或调节(一般的控制或调节入G05)〔3〕
15/22 ··被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制〔3〕
15/24 ···使用机械装置，例如成形导模的(边缘限制熔膜供料的晶体生长用的成形模入15/34)〔3〕
15/26 ···使用电视摄象机的；使用光检测器或X射线检测器的〔3〕
15/28 ···利用晶体或熔体重量变化的，例如浮称法〔3〕
15/30 ·转动或移动熔体或晶体的机构(浮称法入15/28)〔3〕
15/32 ·籽晶夹持器，例如籽晶夹头〔3〕
15/34 ·使用成形模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长〔3〕
15/36 ·以晶籽，例如其结晶取向为特征的〔3〕
17/00 生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法(15/00优先)
19/00 液相外延层生长〔3〕
19/02 ·使用熔融态溶剂，如助熔剂的〔3〕
19/04 ··晶体组分之一是熔剂的〔3〕
19/06 ·反应室；承载熔融液的舟皿；衬底夹持器〔3〕
19/08 ·反应室或衬底的加热〔3〕
19/10 ·控制或调节(一般的控制或调节入G05)〔3〕
19/12 ·以衬底为特征的〔3〕
21/00 共晶材料的定向凝固〔3〕
21/02 ·正常浇铸法或温度梯度凝固法的〔3〕
21/04 ·区域熔融法的〔3〕
21/06 ·自熔融液的提拉法〔3〕
自气化物的单晶生长〔3〕
23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕
23/02 ·外延层生长〔3〕
23/04 ··图案沉积，如使用掩模的〔3〕
23/06 ··沉积室、衬底或欲蒸发材料的加热〔3〕
23/08 ··电离气化物的冷凝法(用反应溅射法的入25/06)〔3〕
25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕
25/02 ·外延层生长〔3〕
25/04 ··图案沉积，例如使用掩膜的〔3〕
25/06 ··反应溅射法的〔3〕
25/08 ··反应室；共所用材料的选择〔3〕
25/10 ··反应室或衬底的加热〔3〕
25/12 ··衬底夹持器或基座〔3〕
25/14 ··气体供给或排出用的装置；反应气流的变换〔3〕
25/16 ··控制或调节(一般的控制或调节入G05)〔3〕
25/18 ··以衬底为特征的〔3〕
25/20 ···与外延层材料相同的衬底〔3〕
25/22 ··夹层的工艺方法〔3〕
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27/00 保护流体下的单晶生长〔3〕
27/02 ·自熔融液的提拉法〔3〕
28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕
28/02 ·由固态直接制备〔5〕
28/04 ·由液态制备〔5〕
28/06 ··正常凝固法或温度梯度凝固法〔5〕
28/08 ··区熔法〔5〕
28/10 ··自熔体的提拉法〔5〕
28/12 ·由气态直接制备〔5〕
28/14 ··用反应气体进行化学反应法〔5〕
29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料(合金入C22)〔3，5〕
附注
29/02至29/58各组中，若无相反指示，则材料分入最后适当位置。〔3〕
29/02 ·元素〔3〕
29/04 ··金刚石〔3〕
29/06 ··硅〔3〕
29/08 ··锗〔3〕
29/10 ·无机化合物或组合物〔3〕
29/12 ··卤化物〔3〕
29/114 ··磷酸盐〔3〕
29/16 ··氧化物〔3〕
29/18 ···石英〔3〕
29/20 ···铝的氧化物〔3〕
29/22 ···复合氧化物〔3〕
29/24 ····分子式为AMeO3的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co、或Al，例如正铁氧体〔3〕
29/26 ····分子式为BMe2O3的，其中B为Mg、Ni、Co、Al、Zn或Cd，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co、或Al〔3〕
29/28 ····分子式为A3Me5O12的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石〔3〕
29/30 ····铌酸盐；钒酸盐；钽酸盐〔3〕
29/32 ····钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐〔3〕
29/34 ··硅酸盐〔3〕
29/36 ··碳化物〔3〕
29/38 ··氮化物〔3〕
29/40 ··AⅢBv化合物〔3〕
29/42 ···砷化镓〔3〕
29/44 ···磷化镓〔3〕
29/46 ··含硫、硒或碲的化合物〔3〕
29/48 ···AⅡBⅥ化合物〔3〕
29/50 ····硫化镉〔3〕
29/52 ··合金〔3〕
29/54 ·有机化合物〔3〕
29/56 ··酒石酸盐〔3〕
29/58 ··高分子化合物〔3〕
29/60 ·以形状为特征的〔3〕
29/62 ··晶须或针状结晶〔3〕
29/64 ··平面晶体，例如板状，窄条状，圆盘状晶体〔5〕
29/66 ··几何形状复杂的晶体，例如管状，圆筒状的晶体〔5〕
29/68 ··具有叠层结构的晶体，例如“超晶格晶体”〔5〕
30/00 利用电场，磁场，波能或其它特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕
附注
分在30/00组内的发明也可分在按照工艺方法来制备的相应组1/00至28/00〔5〕
30/02 ·用电场的，例如电解法〔5〕
30/04 ·用磁场的〔5〕
30/06 ·用机械振荡的〔5〕
30/08 ·在微重力或零重力条件下的〔5〕
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理〔3，5〕
31/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置〔3，5〕
31/02 ·同固态扩散材料接触的〔3〕
31/04 ·同液态扩散材料接触的〔3〕
31/06 ·同气态扩散材料接触的(31/18优先)〔3〕
31/08 ··扩散材料为被扩散元素之化合物的〔3〕
31/10 ··反应室；其所用材料的选择〔3〕
31/12 ··反应室的加热〔3〕
31/14 ··衬底夹持器或基座〔3〕
31/16 ··气体供给或排出的装置；气流的变换〔3〕
31/18 ··控制或调节(一般的控制或调节入G05)〔3〕
31/20 ·电磁波辐照或粒子辐射法的掺杂〔3〕
31/22 ··离子注入法的〔3〕
33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(31/00优先；研磨、抛光入B24；宝石类、晶体的机械精加工入B28D5/00)〔3，5〕
33/02 ·热处理(33/04，33/06优先)〔5〕
33/04 ·用电场或磁场或粒子辐射的〔5〕
33/06 ·晶体的接合〔5〕
33/08 ·侵蚀〔5〕
33/10 ··在溶液或熔体内的〔5〕
33/12 ··在气体气氛或等离子体内的〔5〕
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35/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之生长、制备、或后处理专用的一般装置〔3，5〕